Nínú àwọn ipò ilé-iṣẹ́ tí ó ní iwọ̀n otútù gíga, iṣẹ́ àwọn ẹ̀yà ara ìṣètò náà ní tààrà ń pinnu bí iṣẹ́ ṣe ń lọ sí, ààbò àti ìṣàkóṣo iye owó.Àwọn ìgbùn silikoni carbide (SiC)ti di ohun tó ń yí àwọn ohun èlò ìbílẹ̀ padà, tí wọ́n fi agbára ìdènà ooru gíga, ìdènà ìbàjẹ́ àti ìdúróṣinṣin wọn rọ́pò àwọn ohun èlò ìbílẹ̀ bíi irin àti alumina. A ṣe é fún agbára àti ìyípadà, àwọn ìtànṣán SiC wa tí a ṣe àdáni ń bójú tó onírúurú àìní ilé iṣẹ́, wọ́n sì ń ṣe iṣẹ́ tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé ní àwọn àyíká tó le koko jùlọ.
Lílo àwọn igi carbide silicon tàn ká oríṣiríṣi ilé iṣẹ́ tó ní iwọ̀n otútù gíga, èyí tó sọ wọ́n di àwọn ohun pàtàkì pàtàkì. Ní pàtàkì, wọ́n jẹ́ àwọn ohun èlò tó ń gbé ẹrù àti àwọn ohun èlò ilé nínú àwọn ibi ìdáná ilé iṣẹ́, títí bí àwọn ibi ìdáná ojú irin, àwọn ibi ìdáná ọkọ̀ ojú irin, àwọn ibi ìdáná àti àwọn ibi ìdáná agogo. Àwọn igi wọ̀nyí ní ìwọ̀n ọjà lórí àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ kíln, wọ́n sì ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn ohun èlò tó ń fa ìgbóná lórí òrùlé ilé, èyí tó ń rí i dájú pé iṣẹ́ wọn dúró ṣinṣin, kódà nígbà tí wọ́n bá ń yan án fún ìgbà pípẹ́ ní iwọ̀n otútù tó tó 1380℃. Wọ́n dára gan-an fún àwọn iṣẹ́ síntering nínú àwọn ohun èlò amọ̀, àwọn ohun èlò amọ̀ elekitironiki, àwọn ohun èlò ìwẹ̀nùmọ́, àwọn ohun èlò lithium tó dára àti èyí tí kò dára, àti àwọn ilé iṣẹ́ ohun èlò tó ń fa ìgbóná.
Yàtọ̀ sí àwọn ohun èlò ìgbóná, àwọn igi SiC tayọ̀ ní àwọn ipò mìíràn tí a nílò gidigidi. Ìdènà oxidation tó dára àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà wọn mú kí wọ́n dára fún lílò nínú àwọn boilers agbára ooru, síntering irin àti àwọn ilana ìfọ́ kẹ́míkà, níbi tí wọ́n ti ń dènà ìfọ́ láti inú oxidizing àti àwọn gaasi acidic. Ní àfikún, mímọ́ àti agbára ìṣètò wọn mú kí wọ́n lò wọ́n nínú àwọn irinṣẹ́ afẹ́fẹ́ gíga àti iṣẹ́ semiconductor, èyí tí ó ń ṣètìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè àwọn ilé iṣẹ́ tó ń yọjú. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò ìbílẹ̀, àwọn igi SiC ní ìgbésí ayé iṣẹ́ ní ìgbà 5-6, èyí tí ó dín iye ìgbà ìtọ́jú àti iye owó ìrọ́pò kù ní pàtàkì.
A mọ̀ pé gbogbo iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ilé-iṣẹ́ ní àwọn ohun tí a nílò, ìdí nìyí tí a fi ń fúnni ní àwọn ọ̀nà ìbílẹ̀ onígun mẹ́rin ti silicon carbide tí a ṣe àdánidá pátápátá. Iṣẹ́ ìbílẹ̀ wa bo gbogbo apá pàtàkì láti bá àwọn àìní rẹ mu. Àkọ́kọ́, ìbílẹ̀ oníwọ̀n: a ń ṣe àwọn igi pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n ìpín-ẹ̀ka láti 30×30mm sí 120×120mm àti jù bẹ́ẹ̀ lọ, pẹ̀lú àwọn ìwúwo ògiri tí a lè ṣàtúnṣe gẹ́gẹ́ bí àwọn ìbéèrè ẹrù rẹ. A tún ń pèsè àwọn ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ pàtàkì, bíi àwọn ihò ìlù, àwọn ihò gígùn tàbí àwọn ihò, láti rí i dájú pé a so wọ́n pọ̀ dáadáa pẹ̀lú àwọn ohun èlò tí o wà tẹ́lẹ̀.
Èkejì, ṣíṣe àtúnṣe ohun èlò: a ń pese àwọn àṣàyàn ìṣàtúnṣe síntered (SiSiC/RSiC) àti àtúnṣe (RC-SiC), pẹ̀lú àkóónú SiC láti 85% sí 99%, láti ṣe àtúnṣe iṣẹ́ àti iye owó. Gbogbo ìtànṣán tí a ṣe àtúnṣe ni a ń ṣe àyẹ̀wò dídára tí ó lágbára, títí kan ìtọ́sọ́nà (≤1‰) àti ìdánwò agbára títẹ̀ (títí dé 280MPa ní 1200℃), tí ó ń rí i dájú pé ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé àti ààbò. A tún ń pèsè àpò ìdìpọ̀ àti àwọn ọ̀nà ìfiránṣẹ́ kárí ayé láti rí i dájú pé àwọn ọjà rẹ dé ní ìbámu àti ní àkókò.
Gẹ́gẹ́ bí olùpèsè ọjà SiC ọ̀jọ̀gbọ́n, a ń so ìmọ̀ ẹ̀rọ sintering tó ti ní ìlọsíwájú pọ̀ mọ́ ọ̀pọ̀ ọdún ìrírí ilé iṣẹ́ láti fi àwọn ojútùú àdáni tó ga jùlọ hàn. Àwọn ìlà onígun mẹ́rin silicon carbide wa kìí ṣe pé ó bá àìní iṣẹ́ rẹ mu nìkan, ṣùgbọ́n ó tún ń ran ọ́ lọ́wọ́ láti dín agbára lílo kù àti láti mú kí iṣẹ́ náà sunwọ̀n síi. Yálà o nílò ìwọ̀n tó wọ́pọ̀, àwọn àwòrán tó ṣe pàtó, tàbí ìmọ̀ràn ìmọ̀ ẹ̀rọ tó bá ilé iṣẹ́ rẹ mu, kàn sí wa lónìí fún ìjíròrò ọ̀fẹ́, láìsí ẹrù iṣẹ́ àti ìgbìmọ̀ amọ̀jọ́. Jẹ́ kí àwọn ìlà onígun mẹ́rin SiC wa tó ní ìṣẹ́ gíga, tó ṣe pàtó fún agbára iṣẹ́ rẹ ní iwọ̀n otútù gíga—mú kí ìdúróṣinṣin rẹ pọ̀ sí i, dín owó rẹ kù, kí o sì gbé agbára iṣẹ́ rẹ ga sí i.
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Feb-13-2026
